Language
banner
製品
常に技術と品質を向上させ、業界のトレンドを常に最新の状態に保ちます。
ホームページ > 製品 > RDSソリューション > 詳細
シリコンギア DG100N02G TO

シリコンギア DG100N02G TO

概要 シリコンギア DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10V 3.9mΩ ID=100A DG-FET™ 100V NチャンネルパワーMOSFET 製品説明 会社概要 東;
お問い合わせを送信
Overview
基本情報
モデル番号。DG100N02G
構造平面
カプセル化構造チップトランジスタ
電力レベルハイパワー
材料ケイ素
アプリケーション3BLDC モーター駆動アプリケーション
アプリケーション1バッテリー駆動回路
アプリケーション5同期整流器のアプリケーション
アプリケーション6共振モード電源
アプリケーション4ハーフブリッジおよびフルブリッジのトポロジ
特長3低いミラー静電容量
特長4完全に特性化された静電容量とアバランシェ
特長2低いスイッチングチャージ
特長1同期整流用に最適化された低入力
輸送パッケージプラスチックパッケージ
仕様DG100N02G
商標シリコンギア
起源広東省、中国
生産能力10000個/日
製品説明

シリコンギア DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10V 3.9mΩ ID=100A DG-FET™ 100V NチャンネルパワーMOSFET

Silicongear DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10V 3.9mΩ ID=100A DG-FET™ 100V N-Channel Power MOSFET

Silicongear DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10V 3.9mΩ ID=100A DG-FET™ 100V N-Channel Power MOSFET

Silicongear DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10V 3.9mΩ ID=100A DG-FET™ 100V N-Channel Power MOSFET


首相
リストに戻る
あなたも好きかも
お問い合わせを送信